低溫半導體量測分析系統

本量測系統適用於半導體電子材料、奈米元件之電性量測 (I-V、C-V)，並且附加溫控系統做溫度調變，可用來分析電子元件之可靠度和電性機制。本平台可在真空下(約4×10^-2torr 以下)提供由4K~400K之變溫量測環境，及提供最多5端點元件之量測。並可由Agilent B1500 半導體參數分析儀及Agilent B1530A量測在不同溫度下作元件特性的量測和可靠度研究，更能釐清其中的物理機制，是研究分析材料低溫電性不可或缺的利器。

本電性量測系統能夠結合變溫、低溫高磁場、變頻、照光、氣氛環境控制等技術，因此能夠對電子元件進行深度剖析。除此之外，本量測系統首創結合低溫電性量測平台與快速量測分析系統(Fast IV)，藉以觀察在低溫狀態於極短時間內(解析度為奈秒(ns)等級)電流對應電壓的變化情形，通過低溫技術屏除熱效應之後，能夠更準確的觀察元件的電性行為。

本量測系統亦針對個別元件開發相對應的電性分析技術，如:對於發光元件LED，可通過結合電性量測平台使用光纖探針偵測元件的發光光譜；對於太陽能電池，則可透過AC、DC結合，調控空乏區範圍並量測電容變化量，進而分析材料及介面缺陷分布狀況；對於可撓式元件則能夠提供應力狀態下的電性測試；對於記憶體則能於常溫與高溫狀態量測元件耐操度(Endurance)及記憶保存能力(Retention)等記憶體特性測試；對於氣體感測器則可透過質流控制器(Mass flow controller) 通入適當氣體，偵測元件靈敏度與選擇比。

服務項目

（1）精準電性量測分析   

（2）升溫量測

（3）低溫電性量測

（4）低溫高磁場電性量測

（5）氣氛量測

規格：

HRSMU(High Resolution SMU) × 4

 Resolution：1fA/25μV to 100mA/100V

HPSMU(High Power SMU) × 1

Resolution：10fA/2μV to 1A/200V

PGU(Pulse Generator Unit) × 2

Amplitude：40Vp-p

Pulse width：500μs to 2s (100μs res.)

Pulse period：5ms to 5s (100μs res.)

Transition time：8ns to 400ms (2ns to 8ns res.)

註：Source Monitor Unit(SMU)

MFCMU(Multi-Frequency capacitance measurement unit)

Frequency

Range：1kHz to 5MHz

Resolution：1mHz

Amplitude：100 V DC bias with SMU and SCUU (SMU CMU Unify Unit)

Output signal level：

Range：10mV to 250mV

Resolution：1mV

WGFMU(Waveform generator/fast measurement unit)

Resolution：10ns

Amplitude：100 V DC bias with SMU and

HV-SPGU(High voltage semiconductor pulse generator unit)

Resolution：10ns

Amplitude：-40V to 40V

Pulse width：10ns to period-10ns (2.5ns to 10ns res.)

Pulse period：20ns to 10s (10ns res.)

Transition time：8ns to 400ms (2ns to 8ns res.)

收費標準

儀器使用每小時收費3,000-4,000元整，並提供液氮降溫(77K)。

註：如需降溫至77K以下，請額外負擔液氦費用。

試片準備

Sample大小須在2吋以內

在真空或室溫下會揮發出氣體之sample恕不受理

聯絡方式